MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor
Categoria:
Microplaqueta de IC do transistor
Price:
discussible
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
resistência da Dreno-fonte:
0,1 Ω
polaridade:
P
tensão do ponto inicial:
0,4 V
Pacote:
SOT-23-3
Pacote mínimo:
3000
Padrão de RoHS:
RoHS complacente
Padrão da ligação:
Sem chumbo
Destacar:
MOSFET NPN Microplaqueta de IC do transistor
,Microplaqueta SOT-23 de IC do transistor
,LP2301BLT1G
Introdução
Transistor novo original PNP SOT-23 do MOSFET NPN (SOT-23-3) LP2301BLT1G
Produtos Descrição:
Diodos e retificadores de 1.MOS (transistor de efeito de campo) /LP2301BLT1G
material 2.the de exigências do withRoHS da conformidade do produto e halogênio livre
3.S- prefixo para exigências automotivos e outras da mudança do local e de controle do requiringunique das aplicações; AEC-Q101qualified e PPAP capazes
4.RDS (SOBRE), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ
5.RDS (SOBRE), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ
gestão 6.Power no interruptor a pilhas DSC da carga de sistema do equipamento portátil do livro de nota
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25ºC)
| Parâmetro | Símbolo | Limites | Unidade |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | -20 | V |
| Tensão da Porta-à-fonte – contínua | VGS | ±8 | V |
| Drene atual (nota 1) – Contínuo Ta = 25°C – Pulsado |
Identificação IDM |
-2 -10 |
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
| Parâmetro | Símbolo | Limites | Unidade |
| Dissipação de poder máxima | Paládio | 0,7 | W |
| Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 1) |
RΘJA | 175 | C/W |
| Temperatura da junção e de armazenamento | TJ, Tstg | −55∼+150 | C |
Parâmetros tecnologicos:
| resistência da Dreno-fonte | 0,1 Ω |
| Polaridade | P |
| Tensão do ponto inicial | 0,4 V |
| tensão da Dreno-fonte (Vds) | 20 V |
| Corrente contínua do dreno (Ids) | 2.8A |
| Pacote | SOT-23-3 |
| Pacote mínimo | 3000 |
| Padrão de RoHS | RoHS complacente |
| padrão da ligação | Sem chumbo |
| número de pino | 6 |
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Resíduos:
MOQ:
discussible