2N7002 circuitos integrados do canal SMD 60V 115MA do Mosfet N
2N7002 canal SMD do Mosfet N
,Mosfet do canal de 60V N
,Mosfet SMD do canal de N
MOSFET pequeno N-CH 60V 115MA dos transistor do efeito de campo do sinal dos circuitos integrados 2N7002
Produtos Descrição:
2N7002 transistor, MOSFET, N-canal, 115 miliampères, 60 V, 1,2 ohms, 10 V, 2,1 V
O 2N7002 é um transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal produzido usando a densidade de pilha alta e a tecnologia de DMOS. Minimizar a resistência do em-estado quando desempenho de comutação áspero, seguro e rápido do fornecimento. Pode ser usado na maioria de aplicações que exigem até C.C. 400mA e pode entregar correntes pulsadas até 2A. Apropriado para as aplicações de baixa voltagem, baixo-atuais, tais como motoristas servo pequenos da porta do controlo do motor e do MOSFET do poder.
Projeto da pilha do alto densidade para extremamente - o baixo RDS (SOBRE).
Capacidade alta da corrente de saturação.
Interruptor pequeno controlado do sinal da tensão.
Áspero e seguro
Este transistorsare do efeito de campo do modo do realce do N-canal produzido usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Estes produtos foram projetados tominimize o quando da resistência do em-estado fornecem o desempenho de comutação áspero, seguro, e rápido. Podem ser usados nos mostapplications que exigem até C.C. 400mA e podem deliverpulsed correntes até 2A. Estes produtos particularlysuited para a baixa tensão, baixas aplicações atuais tais como o controlo do motor do smallservo, motoristas da porta do MOSFET do poder, e aplicações otherswitching.
Parâmetros tecnologicos:
| Tensão avaliado (C.C.) | 60,0 V |
| Corrente avaliado | 115 miliampères |
| Poder avaliado | 200 mW |
| número de pino | 3 |
| resistência da Dreno-fonte | 1,2 Ω |
| Polar | N-canal |
| Poder dissipado | 200 mW |
| Tensão do ponto inicial | 2,1 V |
| tensão da Dreno-fonte (Vds) | 60 V |
| tensão de divisão da Porta-fonte | ±20.0 V |