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NX7002AK, 215 1 Mosfet 60V 190mA únicos SMD/SMT da trincheira do canal de N

Categoria:
Módulo do circuito integrado
Price:
discussible
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Drene a resistência da fonte:
3 Ω
Poder dissipado:
0,325 W
Modo da instalação:
Montagem de superfície
Número de Pin:
3
capsulagem:
SOT-23-3
Temperatura de funcionamento:
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Método da embalagem:
Fita & carretel (TR)
Destacar:

NX7002AK 215

,

Mosfet da trincheira do canal de N

Introdução

NX7002AK, MOSFET 60V 190mA único SMD/SMT da trincheira do N-canal 215 SOT-23-3 1

Produtos Descrição:

O NX7002AK é um transistor do efeito de campo do modo do realce do N-canal (FET) em um pacote plástico montado de superfície do dispositivo (SMD) usando a tecnologia do MOSFET da trincheira.

Interruptor rápido mesmo

Proteção do ESD acima a 1.5kV

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R do transporte

Linha de alta velocidade circuitos de comutação do motorista do relé do loadswitch do Baixo-lado do motorista

Parâmetros tecnologicos:

resistência da Dreno-fonte 3 Ω
Poder dissipado 0,325 W
tensão do ponto inicial 1,6 V
capacidade da entrada 15 PF
Tensão da Dreno-fonte (Vds) 60 V
Capacidade entrada (Ciss) 17pF @10V (Vds)
Poder avaliado (máximo) 265 mW
Poder dissipado (máximo) 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Método da instalação Montagem de superfície
Número de pinos 3
pacote SOT-23-3
Temperatura de funcionamento -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Embalagem Fita & carretel (TR)
Aplicações de fabricação Áudio, gestão do poder
Padrão de RoHS RoHS complacente

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Resíduos:
MOQ:
discussible