BSS123 SA SOT23 IC eletrônico lasca 3 Pin Surface Mount Installation
IC eletrônico lasca Pin 3
,Microplaquetas eletrônicas de SOT23 IC
,Microplaquetas eletrônicas de IC
Microplaqueta original nova do circuito integrado CI Bss123 Sa Sot23
Produtos Descrição:
MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 do N-canal BSS123 que marca o interruptor do SA/nível rápidos da lógica compatíveis
Tensão máxima da Dreno-fonte de Vds da tensão do Fonte-dreno| 100V ---|--- Tensão máxima da Porta-fonte de Vgs da tensão da Porta-fonte (±)| a identificação atual do dreno 100V máximo drena atual| Fonte-dreno 170mA/0.17A -resistanceΩRds DΩ no Em-estado Ω/Ohmesistance de /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, tensão de ligação do ponto inicial da Porta-fonte de Vgs da tensão 10V (th)| dissipação de poder do paládio 0.8-1.2V| descrição 360mW/0.36W & aplicações| Transistor de efeito de campo BSS100 do modo do realce do nível da lógica do N-canal: 0.22A, 100V. RDS (SOBRE) = 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS (SOBRE) = 6W @ projeto da pilha do alto densidade VGS = 10V para extremamente - interruptor pequeno controlado do sinal da baixa tensão do RDS (SOBRE). Áspero e seguro. Descrição & aplicação | Transistor de efeito de campo BSS100 do modo do realce do nível da lógica do N-canal: 0.22A, 100V. RDS (SOBRE) = 6W@VGS =10V. BSS123: 0.17A, 100V. A bateria do alto densidade do RDS (EM) =6W@ VGS= 10V é projetada com extremamente - baixa tensão do RDS (SOBRE) controlar o interruptor pequeno do sinal.
Parâmetros tecnologicos:
| Capacidade entrada (Ciss) | 73pF @25V (Vds) |
| resistência da Dreno-fonte | 1,2 Ω |
| Poder dissipado | 360 mW |
| tensão do ponto inicial | 1,7 V |
| Tensão da Dreno-fonte (Vds) | 100 V |
| Método da instalação | Montagem de superfície |
| número de pino | 3 |
| pacote | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamento | -55℃ ~ 150℃ |
| Embalagem | Fita & carretel (TR) |