Paládio 1.3W do Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF do canal de IRLML6401 N
Categoria:
Módulo do circuito integrado
Price:
discussible
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Poder avaliado:
1,3 W
resistência da Dreno-fonte:
0,05 Ω
polaridade:
P-canal
Poder dissipado:
1,3 W
tensão do ponto inicial:
550 milivolt
Capacidade entrada:
830 PF
Número de Pin:
3
Destacar:
Mosfet SOT23 do canal de N
,Mosfet SOT23 de P
,IRLML6401TRPBF
Introdução
MOSFET NOVO E ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF do N-canal IRLML6401
Produtos Descrição:
MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (SOBRE) 0.05Ohm; Identificação -4.3A; Micro3; Paládio 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin micro T/R do transporte
Transistor: P-MOSFET; unipolar; nível da lógica; -12V; -4.3A; 1.3W
Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam técnicas advancedprocessing para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o devicedesign ruggedized que os MOSFETs do poder de HEXFET® são conhecidos para, fornece o thedesigner um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso na gestão do andload da bateria. Um grande leadframe termicamente aumentado da almofada foi incorporado no pacote do thestandard SOT-23 para produzir um MOSFET do poder de HEXFET com pegada a menor dos theindustry. Este pacote, dublou o Micro3™, é forapplications ideais onde imprimiu a placa que de circuito o espaço está em um prêmio. O perfil baixo (<1>
Parâmetros tecnologicos:
| Tensão do ponto inicial | 550 milivolt |
| capacidade da entrada | 830 PF |
| Poder avaliado | 1,3 W |
| polaridade | P-canal |
| Método da instalação | Montagem de superfície |
| número de pino | 3 |
| pacote | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamento | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| Empacotamento | Fita & carretel (TR) |
| Aplicações de fabricação | Interruptores da C.C. |
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Resíduos:
MOQ:
discussible